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DMN4800LSSQ-13 supporto di superficie 1.46W (tum) 8-SO di N-Manica 30 V 8.6A (tum)

Name: DMN4800LSSQ-13 supporto di superficie 1.46W (tum) 8-SO di N-Manica 30 V 8.6A (tum)
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN4800LSSQ-13
Rating: 4.9 (171 reviews)

Luogo di origine	U.S.A.
Marca	Diodes Incorporated
Certificazione	RoHS
Numero di modello	DMN4800LSSQ-13
Quantità di ordine minimo	2500
Prezzo	negotiations
Imballaggi particolari	Bobina di nastro (TR)
Tempi di consegna	5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento	T/T
Capacità di alimentazione	7500

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Dettagli

Modello	DMN4800LSSQ-13	Tensione drain-source (Vdss)	30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C	8,6 A (Ta)	Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 9A, 10V	Dissipazione di potenza (massima)	1,46 W (Ta)

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Descrizione di prodotto

DMN4800LSSQ-13 supporto di superficie 1.46W (tum) 8-SO di N-Manica 30 V 8.6A (tum)

Descrizione

Questo MOSFET è destinato per minimizzare la resistenza dello su stato (RDS (SOPRA)) ma mantenere prestazione di commutazione superiore, rendente lo ideale per le applicazioni della gestione di potere di alto-efficienza.

Applicazioni

Backlighting del 

funzioni di gestione di potere del 

convertitori cc-cc del 

Caratteristiche

Su resistenza bassa del 

capacità introdotta bassa del 

velocità di commutazione veloce del 

perdita bassa dell'ingresso/uscita del 

 completamente senza piombo & completamente RoHS compiacente

alogeno ed antimonio del  liberi. Dispositivo «verde»

il  si è qualificato alle norme AEC-Q101 per l'alta affidabilità

 PPAP capace

Dati meccanici

caso del : SO-8

materiale di caso del : Plastica modellata, composto di modellatura «verde». Classificazione di infiammabilità dell'UL che valuta 94V-0

sensibilità di umidità del : Livello 1 per J-STD-020

collegamenti di terminali del : Vedi il diagramma

terminali del : Rivestimento - Matte Tin Annealed sopra Leadframe di rame. Solderable per MIL-STD-202, metodo 208

peso del : 0.072g (approssimativo)

DMN4800LSSQ-13 supporto di superficie 1.46W (tum) 8-SO di N-Manica 30 V 8.6A (tum) 0

Categoria	Prodotti a semiconduttori discreti Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Mfr	Diodi incorporati
Serie	Automobilistico, AEC-Q101
Tipo del FET	N-Manica
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	30 V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	8.6A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	14mOhm @ 9A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1.6V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	8,7 nC @ 5 V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	798 PF @ 10 V
Caratteristica del FET	-
Dissipazione di potere (massima)	1.46W (tum)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore	8-SO
Pacchetto/caso	8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)

ORIGINALE

La nostra società si assicura che ogni serie di prodotti venga dalla fabbrica originale e può fornire le etichette originali ed i rapporti professionali dell'agenzia di prove.

PREZZO

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