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DMP6050SFG-13 supporto di superficie 1.1W (tum) PowerDI3333-8 di P-Manica 60 V 4.8A (tum)
| Luogo di origine | U.S.A. |
|---|---|
| Marca | Diodes Incorporated |
| Certificazione | RoHS |
| Numero di modello | DMP6050SFG-13 |
| Quantità di ordine minimo | 3000 |
| Prezzo | negotiations |
| Imballaggi particolari | Bobina di nastro (TR) |
| Tempi di consegna | 5-8 giorni del lavoro |
| Termini di pagamento | T/T |
| Capacità di alimentazione | 6000 |
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xDettagli
| Modello | DMP6050SFG-13 | Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
|---|---|---|---|
| Tensione drain-source (Vdss) | 60 V | Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C | 4,8 A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm a 5A, 10V |
Descrizione di prodotto
DMP6050SFG-13 supporto di superficie 1.1W (tum) PowerDI3333-8 di P-Manica 60 V 4.8A (tum)
Descrizione ed applicazioni
Questo MOSFET è stato destinato per minimizzare la resistenza dello su stato (RDS (SOPRA)) ma mantenere prestazione di commutazione superiore, rendente lo ideale per le applicazioni della gestione di potere di alta efficienza.
Backlighting del
funzioni di gestione di potere del
convertitori cc-cc del
Caratteristiche e benefici
RDS basso (SOPRA) – si assicura sulle perdite dello stato sono minimizzati
il piccolo pacchetto efficiente di fattore forma del permette termicamente ai prodotti finiti più ad alta densità
il occupa appena 33% dell'area del bordo occupata da SO-8 permettendo al più piccolo prodotto finale
completamente senza piombo & completamente RoHS compiacente
alogeno ed antimonio del liberi. Dispositivo «verde»
Dati meccanici
caso del : POWERDI® 3333-8
materiale di caso del : Plastica modellata, composto di modellatura «verde». Classificazione di infiammabilità dell'UL che valuta 94V-0
sensibilità di umidità del : Livello 1 per J-STD-020
indicatore dei collegamenti terminali del : Vedi il diagramma
terminali del : Rivestimento
Matte Tin Annealed sopra Leadframe di rame. Solderable per MIL-STD-202, metodo 208
peso del : (approssimativo) 0,072 grammi
specificazione di DMP6050SFG-13
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Categoria
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Prodotti a semiconduttori discreti
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
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Mfr
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Diodi incorporati
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Serie
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-
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Tipo del FET
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P-Manica
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Tecnologia
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MOSFET (ossido di metallo)
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Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
|
60 V
|
|
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
|
4.8A (tum)
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|
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
|
4.5V, 10V
|
|
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
|
50mOhm @ 5A, 10V
|
|
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
|
3V @ 250µA
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Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
|
24 nC @ 10 V
|
|
Vgs (massimo)
|
±20V
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Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
|
1293 PF @ 30 V
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Caratteristica del FET
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-
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Dissipazione di potere (massima)
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1.1W (tum)
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Temperatura di funzionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaggio del tipo
|
Supporto di superficie
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|
Pacchetto del dispositivo del fornitore
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PowerDI3333-8
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Pacchetto/caso
|
8-PowerVDFN
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ORIGINALE
La nostra società si assicura che ogni serie di prodotti venga dalla fabbrica originale e può fornire le etichette originali ed i rapporti professionali dell'agenzia di prove.
PREZZO
Forniamo vari canali di citazione e firmiamo il contratto di ordine dopo il negoziato.
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La consegna lo stesso giorno, generalmente 5-12 giorni lavorativi, può leggermente essere ritardata durante l'epidemia, noi continuerà l'intero processo.
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