2N7002-7-F supporto di superficie 370mW (tum) SOT-23-3 di N-Manica 60 V 115mA (tum)

Luogo di origine U.S.A.
Marca Diodes Incorporated
Certificazione RoHS
Numero di modello 2N7002-7-F
Quantità di ordine minimo 3000
Prezzo negotiate
Imballaggi particolari Bobina di nastro (TR)
Tempi di consegna 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento T/T
Capacità di alimentazione 45000

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Dettagli
Modello 2N7002-7-F Tipo FET Canale N
Tensione drain-source (Vdss) 60 V Corrente - Scarico continuo (Id) 25°C 115mA (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Pacchetto/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Descrizione di prodotto

2N7002-7-F supporto di superficie 370mW (tum) SOT-23-3 di N-Manica 60 V 115mA (tum)

Descrizione

Questo MOSFET è stato destinato per minimizzare la resistenza dello su stato (RDS (SOPRA)) ma mantenere prestazione di commutazione superiore, rendente lo ideale per le applicazioni della gestione di potere di alta efficienza.

 

Applicazioni

controllo motorio del 

funzioni di gestione di potere del 

 

Caratteristiche

Su resistenza bassa del 

tensione bassa della soglia del portone del 

capacità introdotta bassa del 

velocità di commutazione veloce del 

piccolo pacchetto di superficie del supporto del 

 completamente senza piombo & completamente RoHS compiacente

alogeno ed antimonio del  liberi. Dispositivo «verde»

il  si è qualificato alle norme AEC-Q101 per l'alta affidabilità

 

Dati meccanici

caso del : SOT23

materiale di caso del : Plastica modellata, composto di modellatura «verde». Classificazione di infiammabilità dell'UL che valuta 94V-0

sensibilità di umidità del : Livello 1 per J-STD-020

terminali del : Matte Tin Finish ha temprato sopra il leadframe della lega 42 (placcatura senza piombo). Solderable per MIL-STD-202, metodo 208

collegamenti terminali del : Vedi il diagramma

peso del : (approssimativo) 0,008 grammi

 

Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Mfr
Diodi incorporati
Serie
-
Tipo del FET
N-Manica
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
60 V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
115mA (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
2.5V @ 250µA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
50 PF @ 25 V
Caratteristica del FET
-
Dissipazione di potere (massima)
370mW (tum)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo
Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore
SOT-23-3
Pacchetto/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

 

ORIGINALE

 

La nostra società si assicura che ogni serie di prodotti venga dalla fabbrica originale e può fornire le etichette originali ed i rapporti professionali dell'agenzia di prove.

 

PREZZO

 

Forniamo vari canali di citazione e firmiamo il contratto di ordine dopo il negoziato.

 

TRANSAZIONE

 

Dopo la comunicazione e l'accordo, vi guideremo per sistemare il pagamento.

 

CICLO DI CONSEGNA

 

La consegna lo stesso giorno, generalmente 5-12 giorni lavorativi, può leggermente essere ritardata durante l'epidemia, noi continuerà l'intero processo.

 

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