Memoria asincrona IC 16Mbit di IC del circuito integrato di CY62167EV30LL-45BVXI

Memoria asincrona IC 16Mbit 45 paralleli NS 48-VFBGA (6x8) di CY62167EV30LL-45BVXI

Il CY62167EV30 è un CMOS ad alto rendimento RAM statico organizzato come parole di 1M da 16 bit o parole di 2M da 8 bit. Questo dispositivo caratterizza una progettazione di circuito avanzata che fornisce una corrente attiva ultrabassa. La corrente attiva ultrabassa è ideale per la fornitura del più  di durata di vita della batteria (MoBL®) nelle applicazioni portatili quali i telefoni cellulari. Il dispositivo inoltre ha un automatico spegne la caratteristica che riduce il consumo di energia da 99 per cento quando gli indirizzi non stanno fornendo. Disponga il dispositivo nella modalità standby una volta deselezionato (il LIVELLO CE1 o MINIMO CE2 o sia BHE che BLE è ALTI). I perni dell'uscita e dell'input (I/O0 con I/O15) sono disposti in uno stato ad alta impedenza quando: il dispositivo è deselezionato (LIVELLO CE1 o CE2 IN BASSO), uscite è disabile (LIVELLO di OE), sia d'altezza di byte permette a che il byte Enable basso è disabile (LIVELLO di BLE, di BHE), o la a scrive l'operazione è in corso (MINIMO CE1, LIVELLO CE2 e NOI IN BASSO).

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