La CINA Memoria a circuito integrato durevole con conservazione dei dati a lunga durata 166 MHz

Memoria a circuito integrato durevole con conservazione dei dati a lunga durata 166 MHz

Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
La CINA Memoria a circuito integrato da 2 Gb per un'archiviazione dei dati affidabile e semplificata

Memoria a circuito integrato da 2 Gb per un'archiviazione dei dati affidabile e semplificata

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
La CINA Ritenzione dei dati 166 MHz con memoria a circuito integrato

Ritenzione dei dati 166 MHz con memoria a circuito integrato

Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
La CINA Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni con conservazione dei dati non volatili 166 MHz

Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni con conservazione dei dati non volatili 166 MHz

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Transfer Rate: 1.8ms
La CINA 166 MHz Memoria a circuito integrato di conservazione dei dati per migliorare le prestazioni

166 MHz Memoria a circuito integrato di conservazione dei dati per migliorare le prestazioni

Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
La CINA Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni per compiti impegnativi

Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni per compiti impegnativi

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
La CINA Memoria a circuito integrato compatto con tensione 1,7 V - 2 V 166 MHz

Memoria a circuito integrato compatto con tensione 1,7 V - 2 V 166 MHz

Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
Type: Integrated Circuit Storage
La CINA Immagazzinamento e trasferimento di dati efficienti con memoria a circuito integrato

Immagazzinamento e trasferimento di dati efficienti con memoria a circuito integrato

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
La CINA Memoria a circuito integrato a 166 MHz con tempo di accesso non volatile

Memoria a circuito integrato a 166 MHz con tempo di accesso non volatile

Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
Access Time: Non-Volatile
La CINA Memoria di circuito integrato di 2 GB di capacità Potente prestazione a 1,7 V - 2 V

Memoria di circuito integrato di 2 GB di capacità Potente prestazione a 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
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