La CINA Memoria a circuito integrato di 2 GB affidabile per l'elaborazione ad alta velocità con conservazione dei dati a 166 MHz

Memoria a circuito integrato di 2 GB affidabile per l'elaborazione ad alta velocità con conservazione dei dati a 166 MHz

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Type: Integrated Circuit Storage
La CINA Memoria a circuito integrato ad alta velocità a 166 MHz per una memorizzazione efficiente

Memoria a circuito integrato ad alta velocità a 166 MHz per una memorizzazione efficiente

Data Transfer Rate: 1.8ms
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
La CINA Memoria di circuito integrato affidabile ed efficiente 2 GB Capacità 1,8 ms Tasso di trasferimento dati

Memoria di circuito integrato affidabile ed efficiente 2 GB Capacità 1,8 ms Tasso di trasferimento dati

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Retention: 166 MHz
La CINA Memoria a circuito integrato durevole con conservazione dei dati a lunga durata 166 MHz

Memoria a circuito integrato durevole con conservazione dei dati a lunga durata 166 MHz

Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
La CINA Memoria a circuito integrato da 2 Gb per un'archiviazione dei dati affidabile e semplificata

Memoria a circuito integrato da 2 Gb per un'archiviazione dei dati affidabile e semplificata

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
La CINA Ritenzione dei dati 166 MHz con memoria a circuito integrato

Ritenzione dei dati 166 MHz con memoria a circuito integrato

Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
La CINA Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni con conservazione dei dati non volatili 166 MHz

Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni con conservazione dei dati non volatili 166 MHz

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Transfer Rate: 1.8ms
La CINA 166 MHz Memoria a circuito integrato di conservazione dei dati per migliorare le prestazioni

166 MHz Memoria a circuito integrato di conservazione dei dati per migliorare le prestazioni

Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
La CINA Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni per compiti impegnativi

Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni per compiti impegnativi

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
La CINA Memoria a circuito integrato compatto con tensione 1,7 V - 2 V 166 MHz

Memoria a circuito integrato compatto con tensione 1,7 V - 2 V 166 MHz

Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
Type: Integrated Circuit Storage
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