La CINA Memoria a circuito integrato di 2 GB di capacità con temperatura di funzionamento compreso tra -40°C e 125°C

Memoria a circuito integrato di 2 GB di capacità con temperatura di funzionamento compreso tra -40°C e 125°C

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
La CINA Tensione 1,7 V - 2 V Memoria a circuito integrato 2 GB per un'efficiente memorizzazione dei dati

Tensione 1,7 V - 2 V Memoria a circuito integrato 2 GB per un'efficiente memorizzazione dei dati

Capacity: 2Gb
Data Retention: 166 MHz
Voltage: 1.7V ~ 2V
La CINA 1.7V-2V circuito integrato MT25QU02GCBB8E12-0AUT

1.7V-2V circuito integrato MT25QU02GCBB8E12-0AUT

Tipo: Stoccaggio del circuito integrato
Intervallo di temperatura di funzionamento: -40°C ~ 125°C (TA)
Capacità: 2GB
La CINA Memoria di circuito integrato affidabile, velocità di trasferimento dati di 1,8 ms

Memoria di circuito integrato affidabile, velocità di trasferimento dati di 1,8 ms

Intervallo di temperatura di funzionamento: -40°C ~ 125°C (TA)
Tasso di trasferimento dei dati: 1.8ms
Voltaggio: 1.7V ~ 2V
La CINA 166 MHz Memoria a circuito integrato per la conservazione dei dati

166 MHz Memoria a circuito integrato per la conservazione dei dati

Tipo: Stoccaggio del circuito integrato
Capacità: 2GB
Voltaggio: 1.7V ~ 2V
La CINA Capacità di memoria di circuito integrato di resistenza industriale 2 GB

Capacità di memoria di circuito integrato di resistenza industriale 2 GB

Conservazione di dati: 166 MHz
Tasso di trasferimento dei dati: 1.8ms
Tempo di Access: Non volatili
La CINA Soluzione di memoria a circuito integrato - Capacità di 2 GB per operazioni efficienti

Soluzione di memoria a circuito integrato - Capacità di 2 GB per operazioni efficienti

Type: Integrated Circuit Storage
Voltage: 1.7V ~ 2V
Capacity: 2Gb
La CINA Memoria a circuito integrato di 2 GB affidabile per l'elaborazione ad alta velocità con conservazione dei dati a 166 MHz

Memoria a circuito integrato di 2 GB affidabile per l'elaborazione ad alta velocità con conservazione dei dati a 166 MHz

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Type: Integrated Circuit Storage
La CINA Memoria a circuito integrato ad alta velocità a 166 MHz per una memorizzazione efficiente

Memoria a circuito integrato ad alta velocità a 166 MHz per una memorizzazione efficiente

Data Transfer Rate: 1.8ms
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
La CINA Memoria di circuito integrato affidabile ed efficiente 2 GB Capacità 1,8 ms Tasso di trasferimento dati

Memoria di circuito integrato affidabile ed efficiente 2 GB Capacità 1,8 ms Tasso di trasferimento dati

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Retention: 166 MHz
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