La CINA Immagazzinamento e trasferimento di dati efficienti con memoria a circuito integrato

Immagazzinamento e trasferimento di dati efficienti con memoria a circuito integrato

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
La CINA Memoria a circuito integrato a 166 MHz con tempo di accesso non volatile

Memoria a circuito integrato a 166 MHz con tempo di accesso non volatile

Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
Access Time: Non-Volatile
La CINA Memoria di circuito integrato di 2 GB di capacità Potente prestazione a 1,7 V - 2 V

Memoria di circuito integrato di 2 GB di capacità Potente prestazione a 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
La CINA Memoria di circuito integrato non volatile accesso affidabile ai dati con tensione da 1,7 V a 2 V

Memoria di circuito integrato non volatile accesso affidabile ai dati con tensione da 1,7 V a 2 V

Data Retention: 166 MHz
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
VIDEO La CINA Memoria a circuito integrato non volatile con capacità di conservazione dei dati di 166 MHz e tensione di 1,7 V ~ 2 V

Memoria a circuito integrato non volatile con capacità di conservazione dei dati di 166 MHz e tensione di 1,7 V ~ 2 V

Velocità di trasmissione,: 1.8ms
Gamma di temperatura di funzionamento: -40°C ~ 125°C (TA)
Tempo di Access: Non volatile
VIDEO La CINA Immagazzinamento del circuito integrato 166MHz Ritenzione dei dati 1.7V-2V

Immagazzinamento del circuito integrato 166MHz Ritenzione dei dati 1.7V-2V

Velocità di trasmissione,: 1.8ms
Conservazione di dati: 166 megahertz
Tensione: 1.7V ~ 2V
La CINA Introduzione di una memoria a circuito integrato con una capacità di 2 GB per un'efficiente memorizzazione dei dati

Introduzione di una memoria a circuito integrato con una capacità di 2 GB per un'efficiente memorizzazione dei dati

Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
La CINA Tempo di accesso non volatile Soluzione di memoria a circuito integrato Gestione efficiente dei dati

Tempo di accesso non volatile Soluzione di memoria a circuito integrato Gestione efficiente dei dati

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
La CINA Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni 1,8 ms Transfer rate 166 MHz Data retention

Memoria a circuito integrato ad alte prestazioni 1,8 ms Transfer rate 166 MHz Data retention

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Data Transfer Rate: 1.8ms
Voltage: 1.7V ~ 2V
La CINA Tempo di accesso Memoria di circuito integrato non volatile con memoria di circuito integrato

Tempo di accesso Memoria di circuito integrato non volatile con memoria di circuito integrato

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
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