VIDEO La CINA Circuito integrato con tipo di memoria flash NOR

Circuito integrato con tipo di memoria flash NOR

Memory Organization: 512K X 8
Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
VIDEO La CINA Voltaggio - Fornitura 2.7 V - 3.6 V Circuito integrato con conservazione estesa dei dati

Voltaggio - Fornitura 2.7 V - 3.6 V Circuito integrato con conservazione estesa dei dati

Package / Case: SOIC-8
Memory Type: NOR Flash
Mounting Type: Surface Mount
La CINA 2.7 V tensione di alimentazione - Min circuito integrato per prestazioni affidabili

2.7 V tensione di alimentazione - Min circuito integrato per prestazioni affidabili

Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
La CINA Circuito integrato di tipo memoria flash NOR - tensione di alimentazione minima 2,7 V

Circuito integrato di tipo memoria flash NOR - tensione di alimentazione minima 2,7 V

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
La CINA Circuito integrato con memoria flash IC con tempo di scrittura di 50 μS

Circuito integrato con memoria flash IC con tempo di scrittura di 50 μS

Scriva a ciclo la parola del tempo: 50µs
Tensione di rifornimento - massima: 3,6 V
Velocità: 50ns
La CINA Confezionamento del rullo chip di circuito integrato con conservazione dei dati di 20 anni

Confezionamento del rullo chip di circuito integrato con conservazione dei dati di 20 anni

Scrivere il tempo di ciclo - pagina: 50µs
Scriva a ciclo la parola del tempo: 50µs
Capacità di memoria: 4Mbit
La CINA 4Mbit di memoria flash IC 3.6V tensione di alimentazione Max

4Mbit di memoria flash IC 3.6V tensione di alimentazione Max

Imballaggio: Bobina
Scrivere il tempo di ciclo - pagina: 50µs
Tipo di memoria: NÉ istantaneo
La CINA Circuito integrato SOIC-8 512K X 8 50ns

Circuito integrato SOIC-8 512K X 8 50ns

Velocità: 50ns
Scriva a ciclo la parola del tempo: 50µs
Conservazione di dati: 20 anni
La CINA 2.7V imballaggio del rullo del circuito integrato

2.7V imballaggio del rullo del circuito integrato

Tipo di memoria: NÉ istantaneo
Tensione di rifornimento - massima: 3,6 V
Tipo di prodotto: Memoria flash IC
La CINA Circuito integrato con imballaggio a bobina disponibile con 512K X 8 Memory Organization

Circuito integrato con imballaggio a bobina disponibile con 512K X 8 Memory Organization

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
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