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Circuito integrato con tipo di memoria flash NOR
Memory Organization: | 512K X 8 |
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Package / Case: | SOIC-8 |
Data Retention: | 20 Years |
Voltaggio - Fornitura 2.7 V - 3.6 V Circuito integrato con conservazione estesa dei dati
Package / Case: | SOIC-8 |
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Memory Type: | NOR Flash |
Mounting Type: | Surface Mount |
2.7 V tensione di alimentazione - Min circuito integrato per prestazioni affidabili
Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
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Data Retention: | 20 Years |
Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
Circuito integrato di tipo memoria flash NOR - tensione di alimentazione minima 2,7 V
Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
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Memory Capacity: | 4Mbit |
Write Cycle Time - Word: | 50µs |
Circuito integrato con memoria flash IC con tempo di scrittura di 50 μS
Scriva a ciclo la parola del tempo: | 50µs |
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Tensione di rifornimento - massima: | 3,6 V |
Velocità: | 50ns |
Confezionamento del rullo chip di circuito integrato con conservazione dei dati di 20 anni
Scrivere il tempo di ciclo - pagina: | 50µs |
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Scriva a ciclo la parola del tempo: | 50µs |
Capacità di memoria: | 4Mbit |
4Mbit di memoria flash IC 3.6V tensione di alimentazione Max
Imballaggio: | Bobina |
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Scrivere il tempo di ciclo - pagina: | 50µs |
Tipo di memoria: | NÉ istantaneo |
Circuito integrato SOIC-8 512K X 8 50ns
Velocità: | 50ns |
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Scriva a ciclo la parola del tempo: | 50µs |
Conservazione di dati: | 20 anni |
2.7V imballaggio del rullo del circuito integrato
Tipo di memoria: | NÉ istantaneo |
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Tensione di rifornimento - massima: | 3,6 V |
Tipo di prodotto: | Memoria flash IC |
Circuito integrato con imballaggio a bobina disponibile con 512K X 8 Memory Organization
Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
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Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
Data Retention: | 20 Years |