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Circuito integrato con tipo di memoria flash NOR
| Memory Organization: | 512K X 8 |
|---|---|
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Data Retention: | 20 Years |
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Voltaggio - Fornitura 2.7 V - 3.6 V Circuito integrato con conservazione estesa dei dati
| Package / Case: | SOIC-8 |
|---|---|
| Memory Type: | NOR Flash |
| Mounting Type: | Surface Mount |
2.7 V tensione di alimentazione - Min circuito integrato per prestazioni affidabili
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
Circuito integrato di tipo memoria flash NOR - tensione di alimentazione minima 2,7 V
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
|---|---|
| Memory Capacity: | 4Mbit |
| Write Cycle Time - Word: | 50µs |
Circuito integrato con memoria flash IC con tempo di scrittura di 50 μS
| Scriva a ciclo la parola del tempo: | 50µs |
|---|---|
| Tensione di rifornimento - massima: | 3,6 V |
| Velocità: | 50ns |
Confezionamento del rullo chip di circuito integrato con conservazione dei dati di 20 anni
| Scrivere il tempo di ciclo - pagina: | 50µs |
|---|---|
| Scriva a ciclo la parola del tempo: | 50µs |
| Capacità di memoria: | 4Mbit |
4Mbit di memoria flash IC 3.6V tensione di alimentazione Max
| Imballaggio: | Bobina |
|---|---|
| Scrivere il tempo di ciclo - pagina: | 50µs |
| Tipo di memoria: | NÉ istantaneo |
Circuito integrato SOIC-8 512K X 8 50ns
| Velocità: | 50ns |
|---|---|
| Scriva a ciclo la parola del tempo: | 50µs |
| Conservazione di dati: | 20 anni |
2.7V imballaggio del rullo del circuito integrato
| Tipo di memoria: | NÉ istantaneo |
|---|---|
| Tensione di rifornimento - massima: | 3,6 V |
| Tipo di prodotto: | Memoria flash IC |
Circuito integrato con imballaggio a bobina disponibile con 512K X 8 Memory Organization
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
|---|---|
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Data Retention: | 20 Years |