- NXP e TSMC sviluppano insieme il IP di MRAM incastonato nella tecnologia di TSMC 16 nanometro FinFET
- Con MRAM, i fabbricanti automobilistici possono srotolare più efficientemente le nuove caratteristiche, accelerare sopra - aggiornamenti dell'aria (OTA) e rimuovere gli impasse di produzione
- La prossima generazione di NXP di unità di elaborazione di zona S32 e MCUs automobilistico per tutti gli usi sono preveduti essere il primo prodotto da provare all'inizio del 2025
NXP oggi ha annunciato la sua collaborazione con TSMC per consegnare il primo MRAM incastonato automobilistico dell'industria (memoria ad accesso casuale magnetica) nella tecnologia di 16 nanometro FinFET. Come transizione dei fabbricanti automobilistici ai veicoli software-definiti (SDVs), devono sostenere le generazioni multiple di aggiornamenti software su una singola piattaforma di hardware. Riunire le unità di elaborazione automobilistiche ad alto rendimento S32 di NXP con la memoria non volatile di prossima generazione veloce ed altamente affidabile nella tecnologia di 16 nanometro FinFET fornisce la piattaforma di hardware ideale per questa transizione.
MRAM può aggiornare 20MB del codice in ~3 secondi confrontati alle memorie flash che richiedono circa 1 minuto, minimizzante il tempo morto connesso con gli aggiornamenti di software e permettente ai fabbricanti automobilistici di eliminare gli impasse che risultano dai tempi di programmazione del modulo lungo. Inoltre, MRAM fornisce una tecnologia altamente affidabile per i profili di missione automobilistici offrendo fino a un milione di cicli dell'aggiornamento, un livello di resistenza 10x maggior del flash e di altre tecnologie di memoria emergenti.
SDVs permette ai fabbricanti automobilistici di srotolare le nuove caratteristiche della comodità, della sicurezza e della convenienza via più - gli aggiornamenti dell'aria (OTA), prolunganti la durata del veicolo e miglioranti la suoi funzionalità, appello e redditività. Poichè a caratteristiche basate a software diventano più diffuse in veicoli, la frequenza degli aggiornamenti aumenterà e la velocità e la robustezza di MRAM diventeranno ancor più importanti.
Il 16FinFET di TSMC ha incluso la tecnologia di MRAM supera i requisiti rigorosi delle applicazioni automobilistiche con le sua un milione di resistenze del ciclo, il supporto di riflusso della lega per saldatura e la conservazione di 20 dati di anno a 150°C.