I nuovi pre-driver di BTS7202 RX Front End Modules e di BTS6403/6305 offrono il potere ad alto rendimento, le linearità migliori ed il rumore riduttore di contribuire a migliorare la qualità di chiamata 5G e la velocità di Internet.
NXP®I semiconduttori a semiconduttore ha annunciato il suo nuovo più alto potere BTS7202 RX Front End Modules (FEM) ed i pre-driver di BTS6403 /6305 per (MIMO) andare a uscite multiple a entrate multiple massiccio 5G su a 20 W per canale. Sviluppato e implementato nel processo del germanio del silicio di NXP (SiGe), i dispositivi funzionano con consumo corrente modesto per ridurre i costi operativi per gli operatori di rete mobili (MNOs). Inoltre offrono le linearità migliori e la figura di rumore riduttrice per sostenere la migliore qualità di segnale 5G.
Mentre le reti 5G continuano ad essere sviluppate fuori attraverso il globo, MNOs sempre più sta facendo leva le soluzioni 32T32R per migliorare la copertura massiccia di MIMO nelle aree urbane e suburbane meno dense. L'utilizzazione delle soluzioni 32T32R richiede facendo uso dei dispositivi di più alto potere che aumentano il livello di potere per canale per raggiungere il potere totale richiesto per assicurare la forte copertura del segnale 5G.
I nuovi pre-driver RX FEMs e BTS6403/6305 di BTS7202 offrono una soluzione completa e facilmente implementata per le stazioni base 5G, complementante le soluzioni dell'amplificatore di potenza di NXP per le radio 32T32R. La caratteristica di BTS7202 RX FEMs un commutatore capace di trattamento fino a 20W di potere che cola da trasmette gli allineamenti, riducenti la complessità di sistema. I Pre-driver BTS6305 inoltre integrano un balun per ridurre i costi.